住友化学，千亿投资“砸向”这一关键材料！

近日，住友化学公告，公司决定在其大阪工厂扩建并安装新的用于先进半导体工艺前端和后端的开发和质量评估设备，以加强其用于先进半导体工艺光刻胶新产品的开发和量产评估系统。这些新工厂计划于2025财年至2026财年上半年陆续投入使用，旨在扩大来自先进半导体制造商的订单。

住友化学表示，在未来半导体小型化和多层化趋势背景下，ArF光刻胶市场将持续稳步扩大，随着半导体后处理技术的创新，对支持高深宽比的厚膜i线光刻胶的需求预计也将增长。

鉴于此，为了加强对浸没式 ArF 光刻胶和厚膜 i 线光刻胶的开发和量产评估系统，住友化学决定引入与每种光刻胶应用所需的更高分辨率兼容的先进曝光机。

住友化学进一步表示，包括本次最新投资，公司未来几年在半导体材料领域的资本投入将达到1000亿日元的规模。除了稳步扩大尖端EUV光刻胶的销售外，住友化学还在开发下一代EUV产品，例如有机分子光刻胶。通过加速扩大尖端光刻胶业务，住友化学预计到2030年实现ICT和移动解决方案部门的核心营业利润将达到1000亿日元。

在产业转移、新兴经济快速发展、发展中国家崛起等因素下，全球化工巨头近年来在市场布局和战略上一直在做着重大调整，住友化学同样在抛售资产的同时，加大部分产品的投入，其中光刻胶领域一直是其投入的重点，近年来投资情况如下所示：

（1）2023年，大阪工厂新增浸没式 ArF 和 EUV 光刻胶生产线；

（2）2023年，在韩国扩建半导体用高纯度化学品（高纯度氨水）生产线；

（3）2024年，在韩国新建ArF 浸没式光刻胶生产工厂；

（4）2024年，在爱媛工厂扩大半导体高纯度化学品（高纯度硫酸）的生产线；

（5）2024年，在韩国建立新一代业务开发新研究中心；

（6）2024年，提升美国增加半导体用高纯度化学品产量。

按曝光波长的不同，光刻胶可以进一步被细分为G线光刻胶（436nm）、I线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）以及EUV光刻胶（13.5nm）。目前，EUV光刻胶方面，国产化率几乎为0，而KrF和ArF光刻胶的国产化率也分别只有1-2%和不足1%，g线、i线光刻胶则稍好一些，但也仅达到10%左右的国产化率。

国内已有多家企业实现了KrF光刻胶和ArF光刻胶的量产，虽然国内EUV光刻胶仍处于研发阶段，但近年也有了一定的进展。如2024年4月份，湖北的九峰山实验室与华中科技大学携手的研究团队成功攻克了“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术难题，完成了初步的工艺验证和技术指标优化。这项自主创新的光刻胶体系有望为解决光刻制造中的共性问题提供方向，并为EUV光刻胶的发展提供了强有力的技术储备，预示着中国在高端光刻胶自主研发方面迈出了重要一步。

一款新的光刻胶产品必须经历一个严苛而冗长的认证流程。这个过程包括但不限于PRS（性能验证）、STR（小批量试产）、MSTR（大批量试产）以及最终的Release（正式供货）。国产光刻胶企业所面临的市场要求和挑战，丝毫不低于国际上顶尖的日本、美国企业。对于中国供应商来说，想要挤入高端光刻胶这一竞争激烈的领域，前方的道路仍然充满了挑战。只有通过不断地努力和创新，才能逐渐缩小与国际先进水平之间的差距，并最终在全球竞争中占据一席之地。这不仅是技术上的较量，也将是对耐心和毅力的考验。

来源：DT新材料