一位铁娘子缔造的全球第一。
又一个芯片明星独角兽奔赴了IPO。
近日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)向港交所递交招股书，拟主板IPO上市，中金公司、招银国际为其联席保荐人。
这是一只来自第三代半导体赛道的超强独角兽。英诺赛科成立于2017年，全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓(GaN)晶圆的公司，也同时是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。今年，英诺赛科完成了E轮融资，投后估值达235亿元，成功跻身超级独角兽行列。
随着AI热度居高不下，氮化镓在功耗处理的优势得以凸显，商业价值也逐步展现。在英诺赛科开启上市征途的同时，氮化镓(GaN)赛道的资本动作频频。除了融资、上市以外，氮化镓领域的头部玩家也在开展收并购动作，进一步完善自身产业布局。英诺赛科的IPO之路需要冲破哪些阻碍？氮化镓热度将会出现多久？
这是一位铁娘子勇闯半导体无人区的故事。
骆薇薇毕业于新西兰梅西大学，博士学位。2015年，适逢半导体领域回国创业的风潮，骆薇薇一下子瞄准了第三代半导体产业的发展机遇，便毅然决然回国组建团队。2017年，骆薇薇成立英诺赛科，开启了铁娘子的创业故事。
在这场“创业故事”开始之前，骆薇薇便主动选择了超难开局。氮化镓(GaN)是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心。2014年，世界上最早的氮化镓充电芯片出现，让骆薇薇看到了这个市场的潜力。
可是，当时的氮化镓尚且没有大规模商业化应用，很多企业大多选用6英寸或者4英寸工艺，而骆薇薇却带领着英诺赛科选择8英寸工艺。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆，8英寸的晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%。但不得不承认，这是一件许多内行都不敢做的事情。
明星独角兽冲击IPO的故事，再也不是爽文剧本，英诺赛科最后能够走向走向happy ending的结局吗？
英诺赛科勇闯IPO的底气来自于哪里？首先，英诺赛科一成立便选用了IDM全产业链模式，可以实现从设计、制造到测试的整个过程的自主控制。如今，公司成为全球唯一具备产业规模提供电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。
半导体周期的持续时长通常为3-5年，目前正处于第5轮周期的上行期间，谁能冲出来、如何冲出来都是一个值得探究的问题。
氮化镓虽然起步不如碳化硅，但增长势头正酣。根据QYR(恒州博智)的统计及预测，2023年全球氮化镓(GaN)半导体器件市场销售额达到了12.81亿美元，预计2030年将达到54.3亿美元，年复合增长率(CAGR)为23.3%(2024-2030)。
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